1. 產品概述
MBE（分子束外延）鉬基板是一種專為高精度薄膜生長工藝設計的關鍵部件，廣泛應用于半導體、光電材料和量子器件等領域。鉬基板以其優異的熱穩定性、高純度和良好的機械性能，成為MBE設備中不可或缺的核心組件。

2. 產品特點
- 高熔點：鉬的熔點高達2620°C，適合高溫外延生長環境。
- 優異的熱導率：確保基板表面溫度均勻分布，避免局部過熱。
- 高純度：采用高純度鉬材料，減少雜質污染，提升薄膜質量。
- 良好的機械強度：在高應力條件下保持穩定，延長使用壽命。
- 耐腐蝕性：在超高真空和化學活性環境中表現出色。
- 定制化設計：可根據客戶需求提供不同尺寸、形狀和表面處理的基板。

3. 應用領域
- 半導體制造：用于GaAs、GaN、SiC等材料的分子束外延生長。
- 光電材料：用于激光器、探測器等光電器件的外延生長。
- 量子器件：用于量子點、量子阱等納米結構的外延生長。
- 科研實驗：適用于高精度薄膜生長和新材料研究。

4. 技術參數
- 材質：高純度鉬（Mo）
- 熔點：2620°C
- 熱導率：138 W/m·K
- 密度：10.2 g/cm3
- 純度：≥99.95%
- 尺寸：支持定制（直徑、厚度等）
- 表面處理：可提供拋光、涂層等定制化處理

5. 產品優勢
- 高性能：在高溫和超高真空條件下保持穩定，確保外延生長質量。
- 長壽命：耐高溫、耐腐蝕，減少設備停機時間和維護成本。
- 高精度：表面平整度高，確保薄膜生長均勻性。
- 定制化服務：根據客戶需求提供個性化設計和制造服務。
- 優質售后服務：提供全面的技術支持和維護服務。

6. 使用與維護
- 安裝：確保基板與設備匹配，避免機械應力。
- 清潔：定期清理表面污染物，保持高純度和性能。
- 檢查：定期檢查磨損和腐蝕情況，及時更換或維護。

7. 適用設備
- MBE（分子束外延）設備
- 超高真空薄膜沉積設備
- 其他高精度外延生長設備


MBE鉬基板憑借其優異的性能和可靠性，在半導體、光電材料和量子器件等領域發揮著重要作用。無論是大規模生產還是科研實驗，鉬基板都能提供高效、穩定的支持，是MBE設備中的核心組件。

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